IMEC之前就致力于使結(jié)晶硅太陽(yáng)能電池實(shí)現(xiàn)薄膜化的課題。此前，單晶硅太陽(yáng)能電池的厚度等于或大于150μm，需要使用大量的硅。此次不僅減小了厚度，而且還通過(guò)結(jié)晶生長(zhǎng)法制成硅層，因此具有不會(huì)產(chǎn)生切削碎片、可大幅減少硅用量的優(yōu)點(diǎn)。

但是，如果只是減小厚度的話，目前已經(jīng)有僅厚1～2μm的非晶硅太陽(yáng)能電池等。不過(guò)，非晶硅太陽(yáng)能電池效率在單結(jié)時(shí)的極限是6～8％。

此次的太陽(yáng)能電池的制作方法是：在通過(guò)后處理使部分玻璃實(shí)現(xiàn)結(jié)晶化的“玻璃陶瓷底板”（IMEC）上形成薄薄的結(jié)晶硅種層，然后在其上面使單晶硅的活性層進(jìn)行外延（Epitaxial）生長(zhǎng)。獲得的7.5％能源效率稍稍高于非晶硅太陽(yáng)能電池的效率，不過(guò)IMEC預(yù)計(jì)稍微調(diào)整電極結(jié)構(gòu)便可超過(guò)9％。另外，“光反射和光密封等結(jié)構(gòu)尚未進(jìn)行任何改進(jìn)。如果加上此類(lèi)改進(jìn)，便有望通過(guò)活性層厚5μ～10μm的結(jié)晶硅太陽(yáng)能電池實(shí)現(xiàn)15％以上的效率”（IMEC）。

IMEC表示，“從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，我們希望開(kāi)發(fā)出無(wú)需外延生長(zhǎng)的方法，從而進(jìn)一步降低成本”。該機(jī)構(gòu)已經(jīng)嘗試采用對(duì)多孔硅進(jìn)行退火處理（燒結(jié)）的方法，試制了太陽(yáng)能電池。實(shí)現(xiàn)了2.6％的效率。