比利時研究機構IMEC于2010年7月13日宣布，通過采用外延生長制作的20μm厚結晶硅太陽能電池，實現了16.3％的單元轉換效率。單元面積比較大，為70cm2。IMEC介紹說該單元目前正在美國舊金山市舉行的半導體展會“Semicon West 2010”（2010年7月12～16日）上展示。

IMEC正在IMEC Industrial Affiliation Program（IIAP）這一開發項目中，開發兩種新一代結晶硅太陽能電池（參閱本站報道）。一種是從鑄錠上切割結晶硅晶圓后使用的整體型。另一種是通過外延生長在底板上形成結晶硅的型號。后者的特點是：雖然也在底板上采用了多晶硅晶圓，但晶圓質量不高也可使用，而且厚度大幅薄于整體型。

此次開發的單元制造工藝概要如下。首先，在底板上形成由多孔硅構成的光密封專用布拉格反射層。然后，通過CVD（化學氣相沉積）法，按照p型BSF（Back Surface Field）、p型層以及n型層的順序來層疊半導體層。最后，在表面進行等離子處理，形成用于光密封的凹凸。

IMEC在同樣采用外延生長的同時，制作出了部材不同的兩種單元。一種是采用高質量結晶硅底板，在電極中采用銅（Cu）布線的單元。另一種是采用通過名為UMG（Upgraded Metallurgic Grade）的冶金工藝制造的質量稍低的結晶硅晶圓，通過絲網印刷形成布線圖案的單元。16.3％的轉換效率是通過采用高質量結晶硅底板實現的。采用UMG硅晶圓的單元的轉換效率為14.7％。IMEC的能源及太陽能業務總監Jef Poortmans表示，“如果用銅來封裝布線圖案，那么即便是采用低質量底板的單元，也可以將轉換效率提高至可與現有結晶硅太陽能電池相競爭的水平”。