GaAs太陽電池的發(fā)展是從上世紀50年代開始的，至今已有已有50多年的歷史。1954年世界上首次發(fā)現(xiàn)GaAs材料具有光伏效應(yīng)。在1956年，LoferskiJ.J.和他的團隊探討了制造太陽電池的最佳材料的物性，他們指出Eg在1.2～1.6eV范圍內(nèi)的材料具有最高的轉(zhuǎn)換效率。目前實驗室GaAs電池的效率最高已經(jīng)能夠達到50%。

GaAs太陽電池是一種Ⅲ~Ⅴ族化合物半導(dǎo)體太陽電池，與Si太陽電池相比，其特點為：

（1）轉(zhuǎn)換效率高。

GaAs的禁帶寬度相比于Si要寬，光譜響應(yīng)特性與太陽光譜的匹配度也比Si要好。所以，GaAs太陽能電池的光電轉(zhuǎn)化效率要高于Si太陽能電池。Si電池的理論效率僅為23%，而單節(jié)的GaAs電池理論效率為27%，而多節(jié)GaAs的電池理論效率更是高達50%。

（2）可以制成超薄型電池。

GaAs是直接帶隙半導(dǎo)體，而Si是間接帶隙半導(dǎo)體，在可見光到紅外的光譜內(nèi)，GaAs的吸收效率要遠遠高于Si。同樣吸收95%的太陽光，Si需要150μm以上的厚度，但是GaAs只需要5μm~10μm，用GaAs制成的太陽能電池，在質(zhì)量上可以大大減輕。

（3）耐高溫

GaAs的本征載流子濃度低，GaAs太陽電池的最大功率溫度系數(shù)（-2×10-3℃-1）較低比Si（-4.4×10-3℃-1）太陽電池小很多。200℃時，Si太陽電池已不能工作，而GaAs太陽電池的效率仍有約10%。這使得GaAs電池可以在聚光領(lǐng)域有很好的應(yīng)用。

（4）抗輻射性能好

GaAs少子壽命短，在離結(jié)幾個擴散度外產(chǎn)生的損傷，對光電流和暗電流均無影響。因此，其抗高能粒子輻照的性能優(yōu)于間接禁帶的Si太陽電池。在電子能量為1MeV，通量為1×1015個/cm2輻照條件下，輻照后與輻照前太陽電池輸出功率比，GaAs單結(jié)太陽電池>0.76，GaAs多結(jié)太陽電池>0.81，而BSFSi太陽電池僅為0.70。

（5）可制成效率更高的多結(jié)疊層太陽電池

隨著MOCVD技術(shù)的日益完善，Ⅲ~Ⅴ族三元、四元化合物半導(dǎo)體材料（GaInP、AlGaInP、GaInAs）的生長技術(shù)取得重大突破，為多結(jié)疊層太陽電池研制提供了多種可供選擇的材料。

砷化鎵電池與硅光電池的比較

1、光電轉(zhuǎn)化率：

砷化鎵的禁帶較硅為寬，使得它的光譜響應(yīng)性和空間太陽光譜匹配能力較硅好。硅電池的理論效率大概為23%，而單結(jié)的砷化鎵電池理論效率達到27%，而多結(jié)的砷化鎵電池理論效率更超過50%。

2、耐溫性

常規(guī)上，砷化鎵電池的耐溫性要好于硅光電池，有實驗數(shù)據(jù)表明，砷化鎵電池在250℃的條件下仍可以正常工作，但是硅光電池在200℃就已經(jīng)無法正常運行。

3、機械強度和比重

砷化鎵較硅質(zhì)在物理性質(zhì)上要更脆，這一點使得其加工時比容易碎裂，所以，常把其制成薄膜，并使用襯底（常為Ge[鍺]），來對抗其在這一方面的不利，但是也增加了技術(shù)的復(fù)雜度。