在4英寸晶圓中形成的此次的太陽(yáng)能電池（照片：Fraunhofer研究所）

　　德國(guó)弗勞恩霍夫太陽(yáng)能系統(tǒng)研究所（Fraunhofer ISE）宣布，該機(jī)構(gòu)研制的以n型半導(dǎo)體為底板，然后在其上面形成較薄的p型半導(dǎo)體層的單晶硅太陽(yáng)能電池，其能量轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了23.4％。太陽(yáng)能電池單元面積為2cm見(jiàn)方。Fraunhofer ISE有可能量產(chǎn)該款電池，并參與三洋電機(jī)等公司推進(jìn)的提高結(jié)晶硅類太陽(yáng)能電池效率的競(jìng)爭(zhēng)。

　　以n型半導(dǎo)體為底板結(jié)構(gòu)的結(jié)晶硅類太陽(yáng)能電池與以p型半導(dǎo)體為底板的結(jié)構(gòu)相比，前者對(duì)雜質(zhì)的抵抗性更大，在理論上更易提高能量轉(zhuǎn)換效率。不過(guò)，此前許多結(jié)晶硅類太陽(yáng)能電池幾乎都采用以p型半導(dǎo)體為底板的結(jié)構(gòu)。原因是在較厚的p型半導(dǎo)體上能夠形成非常薄的n型半導(dǎo)體層。

　　采用n型半導(dǎo)體底板的原因之一在于封裝層材料。Fraunhofer ISE表示，作為封裝材料，普通的SiO2和SiNx對(duì)于p型半導(dǎo)體無(wú)法充分發(fā)揮出其封裝功能。因此，許多結(jié)晶硅類太陽(yáng)能電池采用以p型半導(dǎo)體為底板、然后在其上面形成的n型半導(dǎo)體薄膜中層疊SiO2和SiNx層的結(jié)構(gòu)。

　　此次，F(xiàn)raunhofer ISE選擇氧化鋁作為太陽(yáng)光照射的表面封裝層材料。由此解決了封裝功能的問(wèn)題，而且還可采用以n型半導(dǎo)體為底板的結(jié)構(gòu)。

　　結(jié)晶硅類太能電池單元轉(zhuǎn)換效率的最高值是25％（2008年10月將原數(shù)值24.7％重新計(jì)算后得到的修訂值），由澳大利亞新南威爾士大學(xué)（UNSW）教授馬丁·格林(Martin Green)領(lǐng)導(dǎo)的研究小組開(kāi)發(fā)的自主結(jié)構(gòu)單元獲得。不過(guò)，該結(jié)構(gòu)單元被認(rèn)為很難實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。