CPL Solar電鍍設備可為晶硅太陽能電池進行金屬鍍膜，該設備可通過超薄銀漿精細種子層提高電池效率，以便于批量生產。

目前大部分生產商通過絲印厚膜銀漿為晶硅太陽能電池進行正面電鍍。通常情況下，為了獲得足夠的導電能力，絲網印刷接觸指寬達120微米。為提高電池效率，則需增大電池的活性面積(包括半導體層和接觸層)，即減少底紋，這就要求要減少接觸指的寬度。但是若絲網印刷接觸指長寬比不當，將導致接觸指電阻增大，從而限制電池效率的提高。

CPL（Cell Plating Line）工藝使用超薄銀漿精細種子層，可以通過電鍍銀或者鎳-銅-錫來進一步增強接觸指的導電能力。這既能形成精細的接觸指，又能有效減少電阻。該工藝不僅能將電池效率提高0.5%，還能大幅減少銀漿的使用量。CPL設備可處理晶體硅電池的尺寸達6"x6"，可選金屬為Ag或者Ni-Cu-Sn。典型的Ag鍍膜厚度可達5um；Ni為1um，Cu為8um，Sn為3um。該設備的年產能可達45-50MW，并可根據客戶的需求進行定制化產能設計。

CPL設備配有自動電池裝載系統(棧式及槽式均可)。由于電池在CPL生產線上進行傳送時始終保持豎直狀態，其所受化學阻力的損害顯著小于水平傳送狀態下所受損害。CPL設備優勢極為明顯，降低化學原料使用量的同時，大幅減少生產過程中產生的廢水量。