專注于單晶硅領域的中環股份昨日在津召開新產品發布會，重點展示了在半導體節能領域和太陽能光伏領域取得的三項最新技術突破，分別是8英寸區熔硅單晶、〈110〉晶向直拉硅單晶、CFZ（直拉區熔技術）高效太陽能電池硅單晶。公司表示，這三項技術的成功突破，將進一步提升企業在這兩個領域的競爭力，為企業的未來發展帶來新的經濟增長點。

預計到2012年底，中環股份8英寸區熔硅單晶片生產規模將達到5000片/月以上，打破了國外對8英寸區熔硅單晶生長技術的封鎖。

區熔硅單晶已成為IGBT的主體功能性材料。IGBT是新一代的功率半導體器件，其技術應用的核心是通過電源頻率調制實現整機、裝置的控制和節能，其產品應用已覆蓋高速機車、新能源汽車、工業節能、新能源、節能家電等領域。2010年中國IGBT市場規模約70億元，未來預計將以25%以上的速度增長。目前，全球有近20家區熔硅單晶制造商，其中前5家公司壟斷了全球產量的95.5%以上，中環股份占據第三的位置。

在太陽能光伏領域，CFZ高效太陽能電池硅單晶，將成為公司未來在太陽能行業的核心競爭力和利潤增長點。該技術使得轉換效率達到24%~26%，接近理論極限值，遠高于目前國內17%左右的轉化率，進而大幅提升發電企業的經濟效益。同時，相對于目前太陽能行業普遍應用的CZ（直拉）單晶硅生長方法而言，CFZ具有更低成本、更高產品品質的優勢，可采用低品質的多晶硅生產高品質產品，而采購的多晶硅成本較普通多晶硅低5%以上。目前該項技術世界上只有中環股份掌握，公司具有產品的議價權。

〈110〉晶向直拉硅單晶，主要應用于超薄太陽能電池，該技術既可節約硅材料3倍左右，同時使用其生產的電池片柔韌性好，適用于特殊場合。目前公司已開始批量生產，預計2012年一季度產量將達到2.5噸，至2013年三季度，產量將有望提升至40噸/年；而裝機容量將從目前的5兆瓦，提升至2015年的75兆瓦。