日前，順風光電新一代高效單晶硅電池研制成功。順風光電通過工藝調整，背面鈍化電池平均效率可達到19.5%以上，最高可達19.67%。比以往的產品具有更優越的弱光響應，更好的功率一致性，更優秀的電致發光影像表現，并保持一貫優秀的電池外觀。

背面鈍化技術逆勢興起

“寒冬”是最難熬的時刻，最痛苦的時刻，也是各個企業進行自我調整、積蓄力量，培育強大基因的時刻。市場對光伏電池光電轉化效率的預期不斷高企，推動相關企業和研究機構對此展開研發，也為寒冷的光伏行業帶來了些許暖意。當下，是創造技術、競爭差異化的黃金期，各企業準備在下個景氣反轉的戰役中，有效利用差異化甩開其他競爭對手。

原子層沉積技術是一種有序的氣相薄膜生長技術，具有良好的保形性、均勻性和高的臺階覆蓋率。通過原子層沉積氧化鋁薄膜對晶體硅太陽能電池硅片進行表面鈍化，可以增加載流子的有效壽命，從而大幅度提高太陽能電池整體的轉換效率。ALD表面鈍化技術可用于n型硅片的正面和背面。

除了順風光電最新的研發成果之外，深圳捷佳偉創在此方面近期也取得了階段性突破。在半導體材料中，某種載流子占少數，導電中起到次要作用，則稱它為少子。單晶硅中摻硼為P型，摻硼越多，則能置換硅產生的空穴也越多，導電能力越強，電阻率就越低。該公司做了大量的文獻研究工作，并且對不同的鈍化層工藝進行了DOE試驗，以實現少子壽命的穩定以及重復提升。經過不懈努力，在捷佳偉創的管式PECVD設備上進行背面鈍化技術的硅片少子壽命在傳統工藝的基礎上提高了5倍，與文獻記錄完全相符，這證明捷佳偉創的背面鍍膜鈍化已經成熟，這項進步填補了國產設備背面鍍膜鈍化技術的空白，已經進入國際領先水平。

此外，去年中科院應用技術研究院(浙江)嘉興微電子設備與儀器工程中心也早在晶硅太陽能電池表面鈍化技術研究中取得新進展。該創新團隊利用自主設計生產的KMT-200A型原子層沉積設備，在P型單晶硅片上生長氧化鋁鈍化層，退火后平均少子壽命可達1ms，有效減少了硅片表面復合，具有優秀的表面鈍化效果。目前，嘉興微電子設備與儀器工程中心創新團隊以技術優勢，吸引美國硅谷研究團隊來嘉興開展原子層技術合作，加快了國內開發原子層沉積設備的研制，推進該項目在嘉興市的產業化。同時，該中心推出了一系列擁有自主知識產權和創新的原子層沉積設備產品，包括熱型設備、等離子體增強型設備和適于光伏產業應用的批量型設備，實現了國產原子層沉積設備在光伏產業首創應用的新局面，為下一代高效晶硅太陽能電池產業的發展提供了國產化設備支撐。