日前，順風(fēng)光電新一代高效單晶硅電池研制成功。順風(fēng)光電通過(guò)工藝調(diào)整，背面鈍化電池平均效率可達(dá)到19.5%以上，最高可達(dá)19.67%。比以往的產(chǎn)品具有更優(yōu)越的弱光響應(yīng)，更好的功率一致性，更優(yōu)秀的電致發(fā)光影像表現(xiàn)，并保持一貫優(yōu)秀的電池外觀。

背面鈍化技術(shù)逆勢(shì)興起

“寒冬”是最難熬的時(shí)刻，最痛苦的時(shí)刻，也是各個(gè)企業(yè)進(jìn)行自我調(diào)整、積蓄力量，培育強(qiáng)大基因的時(shí)刻。市場(chǎng)對(duì)光伏電池光電轉(zhuǎn)化效率的預(yù)期不斷高企，推動(dòng)相關(guān)企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)對(duì)此展開(kāi)研發(fā)，也為寒冷的光伏行業(yè)帶來(lái)了些許暖意。當(dāng)下，是創(chuàng)造技術(shù)、競(jìng)爭(zhēng)差異化的黃金期，各企業(yè)準(zhǔn)備在下個(gè)景氣反轉(zhuǎn)的戰(zhàn)役中，有效利用差異化甩開(kāi)其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

原子層沉積技術(shù)是一種有序的氣相薄膜生長(zhǎng)技術(shù)，具有良好的保形性、均勻性和高的臺(tái)階覆蓋率。通過(guò)原子層沉積氧化鋁薄膜對(duì)晶體硅太陽(yáng)能電池硅片進(jìn)行表面鈍化，可以增加載流子的有效壽命，從而大幅度提高太陽(yáng)能電池整體的轉(zhuǎn)換效率。ALD表面鈍化技術(shù)可用于n型硅片的正面和背面。

除了順風(fēng)光電最新的研發(fā)成果之外，深圳捷佳偉創(chuàng)在此方面近期也取得了階段性突破。在半導(dǎo)體材料中，某種載流子占少數(shù)，導(dǎo)電中起到次要作用，則稱它為少子。單晶硅中摻硼為P型，摻硼越多，則能置換硅產(chǎn)生的空穴也越多，導(dǎo)電能力越強(qiáng)，電阻率就越低。該公司做了大量的文獻(xiàn)研究工作，并且對(duì)不同的鈍化層工藝進(jìn)行了DOE試驗(yàn)，以實(shí)現(xiàn)少子壽命的穩(wěn)定以及重復(fù)提升。經(jīng)過(guò)不懈努力，在捷佳偉創(chuàng)的管式PECVD設(shè)備上進(jìn)行背面鈍化技術(shù)的硅片少子壽命在傳統(tǒng)工藝的基礎(chǔ)上提高了5倍，與文獻(xiàn)記錄完全相符，這證明捷佳偉創(chuàng)的背面鍍膜鈍化已經(jīng)成熟，這項(xiàng)進(jìn)步填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)設(shè)備背面鍍膜鈍化技術(shù)的空白，已經(jīng)進(jìn)入國(guó)際領(lǐng)先水平。

此外，去年中科院應(yīng)用技術(shù)研究院(浙江)嘉興微電子設(shè)備與儀器工程中心也早在晶硅太陽(yáng)能電池表面鈍化技術(shù)研究中取得新進(jìn)展。該創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)利用自主設(shè)計(jì)生產(chǎn)的KMT-200A型原子層沉積設(shè)備，在P型單晶硅片上生長(zhǎng)氧化鋁鈍化層，退火后平均少子壽命可達(dá)1ms，有效減少了硅片表面復(fù)合，具有優(yōu)秀的表面鈍化效果。目前，嘉興微電子設(shè)備與儀器工程中心創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)以技術(shù)優(yōu)勢(shì)，吸引美國(guó)硅谷研究團(tuán)隊(duì)來(lái)嘉興開(kāi)展原子層技術(shù)合作，加快了國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)原子層沉積設(shè)備的研制，推進(jìn)該項(xiàng)目在嘉興市的產(chǎn)業(yè)化。同時(shí)，該中心推出了一系列擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和創(chuàng)新的原子層沉積設(shè)備產(chǎn)品，包括熱型設(shè)備、等離子體增強(qiáng)型設(shè)備和適于光伏產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的批量型設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)原子層沉積設(shè)備在光伏產(chǎn)業(yè)首創(chuàng)應(yīng)用的新局面，為下一代高效晶硅太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了國(guó)產(chǎn)化設(shè)備支撐。