IMEC使用高質(zhì)基底的大面積(70cm2)外延式太陽(yáng)能電池已獲得16.3%的轉(zhuǎn)換效率。此前，低質(zhì)基底大面積電池曾獲得14.7%的轉(zhuǎn)換效率。IMEC已成功地在高質(zhì)高摻雜度的基底和低成本的高級(jí)冶金級(jí)多晶硅基底上，獲得了厚度僅為20 微米的高質(zhì)量外延式硅堆。

"在高質(zhì)基底上所獲得的16.3%的效率和低成本基底的14.7%的效率均表明工業(yè)級(jí)的效率是可以通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。"IMEC太陽(yáng)能項(xiàng)目總監(jiān)Jef Poortmans表示，"通過(guò)使用銅基接觸方案，我們可以進(jìn)一步提高轉(zhuǎn)換效率，使低成本晶片上生長(zhǎng)外延式薄膜硅太陽(yáng)能電池成為一項(xiàng)值得關(guān)注的工業(yè)技術(shù)。"

P+型背表面電場(chǎng)(BSF)、p型基底和n型前端發(fā)射極由化學(xué)氣相沉積形成。電池的捕光方式是在外延/基底部位，將前表面等離子結(jié)構(gòu)與內(nèi)部多孔硅布拉格反射鏡相結(jié)合，已達(dá)到捕光的目的。太陽(yáng)能電池在該高質(zhì)基底上使用了銅基接觸方案。

低質(zhì)基底太陽(yáng)能電池的金屬化工藝使用了絲網(wǎng)印刷技術(shù)，該步驟是形成擴(kuò)散型前表電場(chǎng)及鍍氮化硅減反射膜之后的最后一步制造工藝。這一外延生長(zhǎng)式晶片的等效基底可完全用在標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)化太陽(yáng)能電池制作工藝中。