薄膜硅型太陽能電池截面模型圖                 涂布型背面電極的截面圖

三菱材料開發出了用于薄膜硅型太陽能電池電極的Ag（銀）納米墨、ITO（氧化銦錫）納米墨及SiO2墨。這些墨系將納米顆粒分散到墨中制成，涂布在薄膜硅型太陽能電池的Si層上后，可以形成名為背面電極的亞微米級厚度的薄膜。其光電轉換效率可與原來的真空成膜相當。

薄膜硅型太陽能電池的優點有：硅用量可減至結晶硅型的1/100左右、能量償付期（所發電力達到制造該產品所需電力的運行時間）短、與化合物半導體型太陽能電池相比不容易受Te（碲）等原料用量的限制等。不過，對太陽能電池廠商而言，引進多種真空成膜裝置的初期投資成本高是一個很大的問題，需要通過轉變成涂布成膜工藝來大幅降低成本。

據介紹，此次的電極墨，可利用大日本網屏制造（DNS）的涂布裝置“Linearcoater”在1.4m×1.1m的大塊玻璃上穩定成膜。這有利于削減薄膜硅型太陽能電池的制造成本。

三菱材料將在2011年11月28日～12月2日于福岡縣福岡市舉行的“21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference（PVSEC-21）”上公布此次的開發成果。另外，大日本網屏制造（DNS）將在2011年11月28日～11月30日于中國上海市舉行的“PV China 2011”上介紹這種墨的涂布工藝。